天岳先进10月27日晚间发布三季报，报告显示，2023年前三季度营业收入8.25亿元较去年同期2.69亿元，同比增长206.06%，公司1-9月营收已经远超去年全年，继续保持6个季度的增长趋势，超出前期披露的前三季度预计收入的数据。公司经营业绩继续保持快速增长态势，凸显该公司在导电型产品方面发力取得突破性进展。今年以来，公司发展进入加速期，在研发布局、大单签约、产能提升等各方面捷报频传。

　　作为国内宽禁带半导体材料龙头企业，天岳先进是我国最早从事碳化硅衬底制备的企业之一，十几年来始终专注于碳化硅衬底制备。公司在山东济南、济宁，上海临港建有三家生产厂区。

　　公司营业收入的快速增长与公司导电型产品产销加速放量有关。在济南工厂切换导电型产能走出营收增长的同时，公司上海临港工厂顺利进入产品交付阶段。据公司披露，第一阶段30万片产能有望提前达产，第二阶段96万片产能规划也已启动，这将进一步提升公司高品质导电型碳化硅衬底产品的产能产量。

　　自去年以来，公司加快上海临港新工厂产能建设，逐步加大导电型衬底产能产量，并顺利于2023年5月开启了产品交付，预计产能产量在2023年四季度仍将继续提升，这有助于为公司全年的业绩增长提供有力支撑。

　　值得关注的是，去年7月公司公告了13.93亿元的长期销售框架协议，按照合同约定公司及其子公司上海天岳向客户销售导电型碳化硅衬底产品，在行业内引起较大反响。“由于商业保密要求，披露合同需要获得客户同意”天岳先进相关人士表述，“目前交付进度顺利”。

　　今年8月，公司又公告了与某客户签订导电型衬底的长期框架合同，合同金额超过8亿元。据悉，客户F根据合同约定支付人民币1亿元作为本协议的保证金，公司产品延续畅销趋势。除此之外，天岳先进长短期订单充裕。

　　公司持续加大客户拓展力度，与国内外Tier1的知名客户开展战略合作。特别是公司与英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作，为公司未来的销售增长提供持续动力，这将有助于共同推动碳化硅材料和器件的渗透应用。公司高品质碳化硅衬底产品已形成品牌优势。

　　今年5月初，英飞凌公告了与公司签订新的合作协议，公司将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但公司也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

　　另外，汽车电子知名企业博世集团也与天岳先进签署了战略合作长期协议，以锁定芯片制造关键材料碳化硅衬底的需求。

　　公司产品的加速“出海”一方面表明了公司产能产量已经获得显著提升，另一方面公司在产业化和产品品质上，作为“第一梯队”已经具备核心竞争力。

　　目前，国际宽禁带半导体产业增长超预期，汽车半导体是各企业业绩增长最大推动力，新能源、储能、工控、5G基站等是重要增长领域。整个产业基本跨过导入期，进入高速成长期。全球竞争格局逐步确立，先发企业的优势进一步稳固。

　　在“碳达峰碳中和”大背景下，电气化发展和电能的高效利用成为全球能源变革的重要发展方向。作为宽禁带半导体材料的代表，碳化硅衬底材料依靠优良的物理性能脱颖而出，成为电力电子行业实现减排增效的重要基础。

　　截至2022年，我国新能源汽车保有量突破1300万台（中新社），充电基础设施数量达到520万台，同比增长近100%（新华社）。电动汽车市场广阔，目前碳化硅衬底在电动汽车中仍有待渗透应用。

　　目前我国首批采用碳化硅器件的800V平台电动汽车已经上市，在同等电池容量情况下碳化硅衬底可提升电动汽车5%-10%续航里程。

　　而碳化硅材料和技术在电动汽车领域的成功应用，也为未来继续在其他领域的应用提供了基础，碳化硅半导体行业将迎来大规模爆发。未来在轨道交通、新能源发电和储能等终端市场行业对碳化硅衬底需求均呈现出持续旺盛的趋势。

　　碳化硅器件的减排增效特性已经在电动汽车领域得到体现，随着新能源汽车的发展和普及，未来一段时间将继续带动更大的市场需求。此外，碳化硅器件优异的物理性能还在新能源发电、储能、智能电网等实现“碳达峰碳中和”的重要手段中发挥作用，从发电、传输、存储、负载全方位提升能源使用效率。

　　碳化硅单晶衬底制备具有极高的技术壁垒，目前国际上仍然只有少数企业能够实现大规模生产。天岳先进在碳化硅半导体领域布局较早，深耕多年，依靠核心技术获得发展动力。

　　在9月19日举办的第十二届中国知识产权年会上，公司董事长宗艳民受邀在开幕式上发表题为“自主创新推动关键材料国产化，知识产权护航广阔蓝海市场”的主旨演讲。

　　作为全球领先的碳化硅衬底企业，天岳先进坚持创新引领发展的理念，重视专利布局，持续提升技术竞争力。截至9月19日，天岳先进已在碳化硅衬底领域取得国内专利490余项，率先填补了我国在碳化硅衬底领域的知识产权空白，专利布局涵盖碳化硅制备的全工艺环节，海外专利13项，覆盖欧洲、日本、韩国等国家及地区，知识产权规模位列这一领域的全球前五。

　　衬底尺寸越大，单位面积上制造的芯片数量越多，单位芯片的成本随之降低。基于成本和下游应用领域等因素考虑，8英寸导电型碳化硅产品将是碳化硅衬底行业的发展趋势。

　　一直以来，公司持续进行研发投入，研发与规模化生产形成良好的正循环积累，一方面公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的关键因素；另一方面，公司在前瞻性技术发展方向做了全方位布局。

　　目前行业内导电型碳化硅衬底仍主要为6英寸产品，市场尚未形成8英寸产品的大规模需求，而公司已经较早开展了8英寸产品制备。2022年初，公司公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底。而目前公司已经具备量产8英寸产品的能力，部分客户已经验证完成，部分客户还在送样验证中，未来将根据客户需求规划产能。

　　在2023年Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士还报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创。这也代表了公司领先的技术实力。

　　随着全球能源电气化、低碳化的发展趋势，碳化硅半导体材料和器件将发挥越来越重要的作用。天岳先进将依托领先的技术优势，持续提升产能，与Tier1大厂共同携手，满足日益增长的市场需求，迎接新的发展时代。